has been cited by the following article(s):
|
[1]
|
Effect of V 2 O 5 B-site substitution on the microstructure, Raman spectrum, and dielectric properties of SrBi 2 Ta 2 O 9 ceramics
|
|
2020 |
|
|
|
|
[2]
|
Структурные и электрические характеристики двухслойных тонких пленок Bi 4 Ti 3 O 12/(Ba, Sr) TiO 3, осажденных на кремниевую подложку методом …
|
|
Физика твердого …,
2019 |
|
|
|
|
[3]
|
Структурные и электрические характеристики двухслойных тонких пленок BiTiO/(Ba,Sr)TiO, осажденных на кремниевую подложку методом …
|
|
Физика твердого …,
2019 |
|
|
|
|
[4]
|
Structural and Electric Characteristics of Two-Layer Bi4Ti3O12/(Ba,Sr)TiO3 Thin Films Deposited on a Silicon Substrate by Radio-Frequency Sputtering at …
|
|
2019 |
|
|
|
|
[5]
|
Lattice Structure and Dynamics of Two-Layer Heterostructures of Barium–Strontium Titanate and Layered Bismuth Titanate of Various Thicknesses on a Magnesium …
|
|
2019 |
|
|
|
|
[6]
|
Структура и динамика решетки двухслойных гетероструктур титаната бария-стронция и слоистого титаната висмута разной толщины на подложке окcида …
|
|
2019 |
|
|
|
|
[7]
|
Структурные и электрические характеристики двухслойных тонких пленок Bi4Ti3O12/(Ba,Sr)TiO3, осажденных на кремниевую подложку методом …
|
|
2019 |
|
|
|
|
[8]
|
Сегнетоэлектрические свойства многослойных тонких пленок титаната бария стронция и слоистого титаната висмута для использования в …
|
|
2018 |
|
|
|
|
[9]
|
Electrical and ferroelectric properties of RF sputtered PZT/SBN on silicon for non-volatile memory applications
|
|
Materials Research Express,
2018 |
|
|
|
|
[1]
|
Effect of V2O5 B-site substitution on the microstructure, Raman spectrum, and dielectric properties of SrBi2Ta2O9 ceramics
Scientific Reports,
2020
DOI:10.1038/s41598-020-73327-2
|
|
|
|
|
[2]
|
Effect of V2O5 B-site substitution on the microstructure, Raman spectrum, and dielectric properties of SrBi2Ta2O9 ceramics
Scientific Reports,
2020
DOI:10.1038/s41598-020-73327-2
|
|
|
|
|
[3]
|
Electrical and ferroelectric properties of RF sputtered PZT/SBN on silicon for non-volatile memory applications
Materials Research Express,
2018
DOI:10.1088/2053-1591/aaa859
|
|
|
|