Open Access Library Journal
Vol.2 No.8(2015), Paper ID 68582, 6
pages
DOI:10.4236/oalib.1101562
Deep Traps and Parasitic Effects in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC Heterostructures with Different Schottky Contact Surfaces
Salah Saadaoui, Olfa Fathallah, Mohamed Mongi Ben Salem, Christophe Gaquière, Hassen Maaref
Faculty of Sciences and Arts ( Mohail Asir Campus-Males), King Khalid University, Abha, Kingdom of Saudi Arabia
Laboratoire de Micro-Optoélectronique et Nanostructures, Faculté des Sciences de Monastir, Université de Monastir, Monastir, Tunisie
Laboratoire de Micro-Optoélectronique et Nanostructures, Faculté des Sciences de Monastir, Université de Monastir, Monastir, Tunisie
Institut d’Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie IEMN, Département Hyperfréquences et Semiconducteurs, Université des Sciences et Technologies de Lille, Villeneuve d’Ascq Cedex, France
Laboratoire de Micro-Optoélectronique et Nanostructures, Faculté des Sciences de Monastir, Université de Monastir, Monastir, Tunisie
Copyright © 2015 Salah Saadaoui, Olfa Fathallah, Mohamed Mongi Ben Salem, Christophe Gaquière, Hassen Maaref et al. This is
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How to Cite this Article
Saadaoui, S. , Fathallah, O. , Salem, M. , Gaquière, C. and Maaref, H. (2015) Deep Traps and Parasitic Effects in Al
0.25Ga
0.75N/GaN/SiC Heterostructures with Different Schottky Contact Surfaces.
Open Access Library Journal,
2, 1-6. doi:
10.4236/oalib.1101562.