Unite de Recherches Matériaux et Energies Renouvelables, Faculté des Sciences de l’Ingénieur, Université Abou-Bekr-Belka?d de Tlemcen, Tlemcen, Algérie
Unite de Recherches Matériaux et Energies Renouvelables, Faculté des Sciences de l’Ingénieur, Université Abou-Bekr-Belka?d de Tlemcen, Tlemcen, Algérie
Unite de Recherches Matériaux et Energies Renouvelables, Faculté des Sciences de l’Ingénieur, Université Abou-Bekr-Belka?d de Tlemcen, Tlemcen, Algérie
Unite de Recherches Matériaux et Energies Renouvelables, Faculté des Sciences de l’Ingénieur, Université Abou-Bekr-Belka?d de Tlemcen, Tlemcen, Algérie
Copyright © 2013 B. Bouazza, A. Guen-Bouazza, C. Sayah, N. E. Chabane-Sari et al. This is
an open access article distributed under the Creative Commons Attribution
License, which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any
medium, provided the original work is properly cited.
How to Cite this Article
B. Bouazza, A. Guen-Bouazza, C. Sayah and N. Chabane-Sari, "Comparison of High Field Electron Transport in GaAs, InAs and In
0.3Ga
0.7As,"
Journal of Modern Physics, Vol. 4 No. 4A, 2013, pp. 121-126. doi:
10.4236/jmp.2013.44A012.