Journal of Modern Physics
Vol.3 No.6(2012), Paper ID 20099, 5
pages
DOI:10.4236/jmp.2012.36063
Excitation Transfer in Vertically Stacked in (Ga)As/GaAs Quantum Rings
R. Naouari, W. Ouerghui, J. Martinez-Pastor, J. Gomis, M. A. Maaref, D. Granados, J. M. Garcia
Unité de Recherche des Physiques des Semiconducteurs et Capteurs, Institut Préparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Université Carthage, Tunis, Tunisia
Unité de Recherche des Physiques des Semiconducteurs et Capteurs, Institut Préparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Université Carthage, Tunis, Tunisia
Instituto de Ciencia de los Materials, Universidad de Valencia, Valencia, Spain
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Unité de Recherche des Physiques des Semiconducteurs et Capteurs, Institut Préparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Université Carthage, Tunis, Tunisia
Instituto de Microelectrónica de Madrid, Madrid, Spain
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Copyright © 2012 R. Naouari, W. Ouerghui, J. Martinez-Pastor, J. Gomis, M. A. Maaref, D. Granados, J. M. Garcia et al. This is
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How to Cite this Article
R. Naouari, W. Ouerghui, J. Martinez-Pastor, J. Gomis, M. Maaref, D. Granados and J. Garcia, "Excitation Transfer in Vertically Stacked in (Ga)As/GaAs Quantum Rings,"
Journal of Modern Physics, Vol. 3 No. 6, 2012, pp. 471-475. doi:
10.4236/jmp.2012.36063.